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- 2023-03-28 发布于四川
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本实用新型涉及一种半导体器件的金属互连结构及半导体器件，对应化合物半导体器件的接线盘设置第一金属柱、第二金属柱，使本实用新型适用于倒装式封装，基于倒装式封装结构，能增加单位面积内的I/O数量，缩短的互连，进而减小电感、电阻及电容，性能提高；而且封装后的面积更小。本实用新型利用第一金属柱、第二金属柱作为半导体器件与基材的连接机构，具有较佳抗电迁移和导热能力，进一步提升高密度、低阻抗、低寄生电容、低电感，低能耗，低信噪比等优点，提高半导体器件特性以及散热效果。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214012937 U
(45)授权公告日 2021.08.20
(21)申请号 202022422621.2
(22)申请日 2020.10.27
(73)专利权人 厦门市三安集成电路有限公司
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