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- 2023-03-28 发布于四川
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本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种PIN结构核电池，包括半导体材料衬底，所述半导体材料衬底的上部由下而上依次形成P型半导体层、阳极金属层、放射性同位素层；所述半导体材料衬底的下部形成沟槽结构，所述沟槽结构的上面形成N型半导体层，所述沟槽结构的下面形成阴极金属层；其中，所述N型半导体层位于所述半导体材料衬底下方。本实用新型提供的PIN结构核电池，解决了I区过长导致的电子空穴对扩散问题，可以提高对放射性同位素源的探测效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214012523 U
(45)授权公告日 2021.08.20
(21)申请号 202022442243.4
(22)申请日 2020.10.29
(73)专利权人 无锡华普微电子有限公司
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