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一种具有复合钝化层的半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-03-29 发布于四川
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一种具有复合钝化层的半导体器件.pdf

    本实用新型公开了一种具有复合钝化层的半导体器件，包括半导体基底和设于半导体基底之上的电极，还包括设于半导体基底和电极之上的复合钝化层，所述复合钝化层于所述电极之上具有暴露所述电极的开口；所述复合钝化层包括交替设置的第一纳米沉积层和第二纳米沉积层，其中第一纳米沉积层的生长速率低于第二纳米沉积层。利用纳米复合结构的钝化层，调控器件钝化工艺引入的应力，同时采用高黏附性及覆盖性的复合纳米结构钝化层，提高钝化层对存在较高台阶不连续区域的覆盖，提高器件可靠性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214012901 U (45)授权公告日 2021.08.20 (21)申请号 202022813212.5 (22)申请日 2020.11.27 (73)专利权人 厦门市三安集成电路有限公司

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