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- 2023-03-29 发布于四川
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本申请提供一种太阳能电池,包括硅基底,所述硅基底的正面依次层叠设置有隧穿层、掺杂多晶硅层与减反射层,所述太阳能电池还包括穿过所述减反射层并与所述掺杂多晶硅层相接触的正面电极;所述硅基底的背面依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂非晶层与透明导电层。本申请太阳能电池能够改善电池表面的钝化性能,减少电池正面相关膜层对入射光线的寄生吸收,增加入射光线的利用率,并通过所述本征非晶硅层、掺杂非晶层作为背面钝化结构,减少高温制程及高温制程中可能演化出现的缺陷,提高电池寿命。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214043679 U
(45)授权公告日 2021.08.24
(21)申请号 202022764301.5
(22)申请日 2020.11.25
(73)专利权人 嘉兴阿特斯光伏技术有限公司
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