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- 2023-03-29 发布于四川
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本实用新型公开一种用于内埋基板的功率器件封装结构包括源极引出端、栅极引出端、漏极引出端以及用于封装芯片的封装树脂,所述源极引出端、栅极引出端及漏极引出端分别暴露于所述封装结构的上表面或与所述上表面平行相对的下表面,所述漏极引出端为引线框架,所述源极引出端为堆叠焊接于所述芯片的源极的金球,所述栅极引出端为堆叠焊接于所述芯片的栅极的金球,所述芯片以漏极朝向所述引线框架的方向焊接在所述引线框架上。通过将源极、栅极、漏极分别通过源极引出端、栅极引出端以及漏极引出端引出至封装体的表面,从而使得封装体可以方
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214043649 U
(45)授权公告日 2021.08.24
(21)申请号 202022913996.9 H01L 23/373 (2006.01)
(22)申请日
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