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碳化硅衬底材料发展概况 碳化硅衬底材料发展概况 第三代半导体材料是指以碳化硅等为代表的宽禁带半导体材料，发展时间较短。国内材料厂商与国外材料厂商的技术仍具有差距，但与硅基半导体材料相比，技术差距相对较小，随着国内技术不断进步完善，下游应用领域不断拓展，国内材料厂商发展潜力较大。 由于碳化硅衬底性能参数指标众多、制备工艺难度高、晶体生长慢，同时还要克服高温、晶体生长过程不可见等生长条件苛刻的因素，其晶体生长难度大，制备效率较低，使得良率较低，仅约为30%-50%左右，导致材料成本较高。下游应用领域基于成本较高等因素，仍处于应用阶段的初期。随着碳化硅材料制备工艺技术不断发展，厂商不断扩产，下游应用