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ZrN_X薄膜的制备及其光学和阻变特性研究
摘要:本文研究了一种新型的ZrN_X薄膜的制备方法,并对其光学和阻变特性进行了深入分析。通过磁控溅射法制备了一系列的ZrN_X薄膜,分别在不同的氩气/氮气比例下制备,然后使用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等技术对其结构和形貌进行表征。结果表明,当氩气/氮气比例为5:5时,ZrN_X薄膜的晶体结构最优,呈现出最佳的晶体生长和表面形貌。同时,我们对该薄膜的光学和阻变特性进行了研究。试验发现,当该薄膜的厚度为40nm时,其具有最佳的光学特性和阻变特性,可以用于发光二极管或记忆器件中。关键词:ZrN_X薄膜、磁控溅射、光学特性、阻变特性、
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