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- 2023-04-06 发布于四川
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本实用新型公开了一种用于提升单晶生长速度的装置,包括坩埚本体(1)、硅溶液(2)、导流筒(3)、水冷热屏(4)和单晶硅棒(5),水冷热屏(4)的主体内部设有循环管路(4a),循环管路(4a)的进口与进水管路(6)相连、出口与出水管路(7)相连;水冷热屏(4)的内表面设为散热面(4b),散热面(4b)上连接一组散热片(8),散热片(8)的宽度由上至下逐渐减小,散热片(8)的外侧(8a)与散热面(4b)相连、内侧(8b)正对着单晶硅棒(5)设置,且每个散热片(8)的内侧(8b)到单晶硅棒(5)的最短
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215404646 U
(45)授权公告日 2022.01.04
(21)申请号 202121863578.1
(22)申请日 2021.08.11
(73)专利权人 包
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