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- 2023-04-06 发布于四川
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本申请涉及一种离子源辅助蒸发结构、真空腔体以及真空镀膜机，离子源辅助蒸发结构，包括：设于真空腔体底部的多个离子源安装位和多个电子枪安装位；其中，所述电子枪安装位设于在离子源安装位设定距离处；每个所述电子枪安装位设有一个盛放镀膜材料的坩埚结构，所述电子枪安装位用于安装蒸发镀膜材料的电子枪；各个离子源安装位用于安装离子源，所述离子源用于输出离子束轰击被镀工件表面，辅助蒸发的镀膜材料对所述被镀工件进行镀膜；该技术方案，降低了离子源设备成本，而且提升了镀膜质量和镀膜效率，使得镀膜产品的成膜均匀性、致密性
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215404480 U
(45)授权公告日 2022.01.04
(21)申请号 202122234502.9
(22)申请日 2021.09.15
(73)专利权人 佛
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