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图形化SOI LDMOS器件结构.pdfVIP

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  • 2023-04-06 发布于四川
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图形化SOI LDMOS器件结构.pdf

    本实用新型公开了一种图形化SOILDMOS器件结构。所述图形化SOILDMOS器件结构包括依次叠层设置的衬底、第一绝缘层和外延层，其中，所述第一绝缘层的表面具有第一区域以及不同于第一区域的第二区域，所述第一绝缘层的第一区域开设有沿厚度方向贯穿所述第一绝缘层的图形窗口，所述图形窗口内填充有硅层，所述硅层分别与所述外延层、衬底导热连接；以及源极、漏极、栅极以及与栅极相匹配的场板。本实用新型实施例提供的图形化SOILDMOS器件结构，减小了上层硅器件的厚度，使得氧化层上的LDMOS器件的LDD结深

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215418189 U (45)授权公告日 2022.01.04 (21)申请号 202122099659.5 H01L 23/367 (2006.01) (22)申请日

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