能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产装置.pdfVIP

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2023-04-06 发布于北京
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能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产装置.pdf

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本实用新型提供一种能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产装置，属于单晶硅生产技术领域。在搅拌器的下端设置螺旋桨叶，且螺旋桨叶的叶宽为坩埚半径的1/3～1/2，化料结束后，将搅拌器安装在所述重锤上，并使得所述螺旋桨叶伸入所述坩埚内进行搅拌，以降低单晶硅晶棒的头部氧含量。搅拌过程中，在所述螺旋桨叶的作用下，使得硅熔汤向中部汇集，形成中间略高、坩埚内壁处略低的液面，一方面降低安全风险，防止硅熔汤挂壁或溢出，另一方面，有利于进一步降低硅熔汤中的氧含量。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215404652 U (45)授权公告日 2022.01.04 (21)申请号 202121380719.4 (22)申请日 2021.06.22 (73)专利权人宁夏中欣晶圆半导体科技有限公