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集成式IGBT器件.pdfVIP

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  • 2023-04-09 发布于四川
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集成式IGBT器件.pdf

    本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种集成式IGBT器件，包括外壳、厚膜基板、TVS二极管、发射极信号端、栅极信号端及IGBT芯片，所述厚膜基板与IGBT芯片设置在外壳内，所述TVS二极管、发射极信号端及栅极信号端设置在厚膜基板上，所述发射极信号端及栅极信号端分别与TVS二极管电性连接，所述IGBT芯片与TVS二极管电性连接。本实用新型的集成式IGBT器件通过设置TVS二极管，可有效防止栅极因过压而损坏，同时也能将栅极与发射极维持在一固定水平，使得短路电流不会超过擎住电流，即降低了短路时的电

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215498912 U (45)授权公告日 2022.01.11 (21)申请号 202120329956.1 (22)申请日 2021.02.04 (73)专利权人 深圳吉华微特电子有限公司

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