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* 第*页 4.4.2 高速缓冲存储器 （5/11） 直接映象： 假设主存空间被分为2m 个页，其页号分别为0、1、...i...2m -1,每页大小为2b 个字，Cache存储空间被分为2c个页(页号为0、1、...j...2c-1）,每页大小同样为2b 个字，( c m) （A）直接映象函数定义：j=i mod 2 c 其中j是Cache的页面号，i是主存的页面号。显然，主存的第0页、 2c 页、2c+1 ...只能映象到Cache的第0块（共2t 个页）。主存的第1页，第2c ＋1页，...(共2t 个页）只能映象到Cache的第1页...其中，图中的主存页面标记（t位）用来表明主存对应同一Cache页面的2t 个页面中，究竟是哪一个页面存放到Cache中。 （B）主存地址：最后b 位是页内地址，中间c位是Cache的页面地址，高t(=m-c)位是主存的页面标记，用来标明主存的2t 个页面中究竟哪个页面已在Cache中。 * 第*页 4.4.2 高速缓冲存储器 （6/11） 主存 b位 c位 t位 t位 m位 图4-22 页面地址的直接映像方式 页号0 页号1 页号2 c －1 页号2 c 页号2 c ＋1 页号2c+1－1 页号2 c+1 页号2 m －1 页号0 页号1 页号2 c－1 标记 标记 标记 主存页面标记 cache页面地址 页内地址 Cache存贮器 主存地址 * 第*页 4.4.2 高速缓冲存储器 （7/11） 直接映象： （C）工作过程：地址变换部件在收到CPU送来的主存地址后，只需根据中间c位字段找到Cache存储器页面号，然后检查标记是否与主存地址高t位相符合，如果符合，则可根据页号地址和低b位地址访问Cache，如果不符合，就要从主存读入新的页面来替换旧的页面，同时修改Cache标记。 （D）优点：简单； 缺点：不灵活，命中率低。 * 第*页 4.4.2 高速缓冲存储器 （8/11） 全相联映象方式 （1）主存中的每一页面可以映象到Cache中的任何一个页面位置上，也允许采用任何替换算法从被占满的Cache中替换掉任何一个旧页面。 （2）主存地址 （3）优点：灵活 （4）缺点 访问速度太慢，这是因为要与所有标记全部比较一遍，才能确定是否命中； 成本太高 * 第*页 4.3.1 静态MOS存储器 （3/11） 基本存储元—6管静态MOS存储元 B、存储元的工作原理 ②读操作。 只需字线上加高电位的字脉冲，使T2 、T3 管导通，把节点A、B分别连到位线。若该位存储电路原存“0”，节点Ａ是低电位，经一外加负载而接在位线ＢＳ0 上的外加电源，就会产生一个流入BS0 线的小电流（流向节点Ａ经T0 导通管入地）。“0”位线上BS0 就从平时的高电位Ｖ下降一个很小的电压，经放大器检测出“０”信号。 若该位原存“1”，就会在“1”位线BS1 中流入电流，在 BS1 位线上产生电压降，经差动放大器检测出读“1”信号。 读出过程中，位线变成了读出线。读取信息不影响触发器原来状态，故读出是非破坏性的读出。 ③若字线不加正脉冲，说明此存储元没有选中，T2 ，T3 管截止，A、B结点与位／读出线隔离，存储元存储并保存原存信息。 * 第*页 4.3.1 静态MOS存储器 （4/11） 基本存储元—8管静态MOS存储元 A、目的：地址双重译码选择，字线分X选择线与Y选择线。 B、实现：需要在６管MOS存储元的A、B节点与位线上再加一对地址选择控制管T7 、T8 ，形成了8管MOS存储元。 基本存储元—6管双向选择MOS存储元 8管MOS存储元改进：在纵向一列上的6管存储元共用一对Y选择控制管T6 、T7 ，这样存储体管子增加不多，但仍是双向地址译码选择，因为对Ｙ选择线选中的一列只是一对控制管接通，只有X选择线也被选中，该位才被重合选中。 * 第*页 4.3.1 静态MOS存储器 （5/11） T5 T7 T3 T2 T0 T1 T8 T6 BS0 V BS1 读/写“0” 读/写“1” 位/读出线 位/读出线 Y选择线 X选择线 图4-5 8管MOS存储电路 读/写“0” B A T2 T5 T4 T0 T1 I/O I/O T7 T6 T3 BS0 V BS1 读/写“1” 位/读出线 位/读出线 Y选择线 X选择线 图4-6 6管双向选择MOS存储电路 * 第*页 4.3.1 静态MOS存储器 （6/11） RAM结构与地址译码—字结构或单译码方式 （1）结构： (A) 存储容量Ｍ=Ｗ行×b列； (B) 阵列的每一行对应一个字，有