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- 2023-04-09 发布于四川
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本实用新型公开了一种单介质层立体金属墙去耦结构，包括金属墙、底板和两个辐射模块，所述金属墙贯穿所述底板并与所述底板固定连接，且位于所述公共接地板的顶部，两个所述辐射模块分别与所述底板固定连接，并均位于所述底板的顶部，且两个所述辐射模块关于所述金属墙对称设置，在满足去耦和匹配要求的前提下，不仅使天线阻抗匹配变好，而且还实现了较好的去耦效果，修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好地解决了现有技术中方向图偏移的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215497087 U
(45)授权公告日 2022.01.11
(21)申请号 202121346238.1
(22)申请日 2021.06.17
(73)专利权人 桂
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