1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

熔液间距控制结构和单晶棒生长装置.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约7.06千字
  • 约 7页
  • 2023-04-09 发布于四川
  • 举报

熔液间距控制结构和单晶棒生长装置.pdf

    本实用新型涉及一种熔液间距控制结构，应用于单晶棒生长装置，包括设置于导流筒靠近熔液的一端的石英件，所述石英件包括L形主体，所述L形主体包括与导流筒连接的第一连接臂以及与所述第一连接臂垂直连接的第二连接臂；所述石英件还包括与所述L形主体连接的第一L形分支，所述第一L形分支位于所述L形主体远离单晶棒的一侧，包括与所述第二连接臂垂直连接的第三连接臂，以及与所述第三连接臂垂直连接的第四连接臂，所述第四连接臂与所述第二连接臂平行设置。本实用新型还涉及一种单晶棒生长装置。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215481422 U (45)授权公告日 2022.01.11 (21)申请号 202120553828.5 (22)申请日 2021.03.17 (73)专利权人 西安奕斯伟硅片技术有限公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >