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- 2023-04-12 发布于湖北
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* 化学位移: 由于屏蔽作用的存在,氢核产生共振需要更大的外磁场强度(相对于裸露的氢核),来抵消屏蔽影响。 在有机化合物中,各种氢核 周围的电子云密度不同(结构中不同位置)共振频率有差异,即引起共振吸收峰的位移,这种现象称为化学位移。 * 2. 化学位移的表示方法 (1)位移的标准:因为没有完全裸露的氢核,故没有绝对的标准。 相对标准:四甲基硅烷 Si(CH3)4 (TMS)(内标) 位移常数 ?TMS=0 (2) 为什么用TMS作为基准? a. 12个氢处于完全相同的化学环境,只产生一个尖峰 b.屏蔽强烈,位移最大。与有机化合物中的质子峰不重迭; c.化学惰性;易溶于有机溶剂;沸点低,易回收。 * 位移的表示方法 与裸露的氢核相比,TMS的化学位移最大,但规定 ?TMS=0,其他种类氢核的位移为负值,负号不加。 ?小,屏蔽强,共振需要的磁场强度大,在高场出现,图右侧; ?大,屏蔽弱,共振需要的磁场强度小,在低场出现,图左侧; * 二、影响化学位移的因素 1.电负性--去屏蔽效应 与质子相连元素的电负性越强,吸电子作用越强,质子周围的电子云密度减弱,屏蔽作用弱,信号峰在低场出现。 -CH3 , ? =1.6~2.0,高场; -CH2I,
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