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专利内容由知识产权出版社提供
专利名称:一种高压MOS管控制电路
专利类型:实用新型专利
发明人:聂慧芳,胡锦毅
申请号:CN201820 44 119.9
申请日:201804 17
公开号:C U
公开日
摘要:一种高压MOS管控制电路 ,第一MOS管的漏极连至高压输入正极 ;第一MOS管的源极连
至高压输出正极 ,TT L高电平通过第一电阻连接第一光耦的RE管脚、第一光耦的DE管脚连至TT L低电
平 ,第一光耦的A、B两个管脚连接后与第二电阻和第一稳压管的负极连接 ,第二电阻和第一稳压管的
正极连接后与第四电阻和第五电阻连接 ,第五电阻的另一端连接第二电容的一端 ,第二电容的另一端
与高压输入负极连接 ,第四电阻的另一端连接第一MOS管的栅极和第三电阻的一端 ,第三电阻的另一
端连接高压输出正极 ,第一光耦的电源端 口连至VCC ,第一电容的一端连接VCC ,另一端连至第一光
耦的GND管脚,GND管脚接地 ,高压输出正极接地。本实用新型具有体积小、电路简单、可靠性高。
申请人:洛阳隆盛科技有限责任公司
地 :4 71000 河南省洛阳市西工区凯旋西路2 号
国籍:CN
代理机构:洛阳市凯旋专利事务所
代理人:霍炬
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