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- 2023-04-13 发布于四川
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本发明公开一种高驱动Sense‑Switch型pFLASH开关单元结构及其制备方法，属于微电子集成电路领域。通过浮栅电荷共享的方式实现编程/擦除管对信号传输管的开关态，实现电荷共享方式为BTBT编程和FN擦除方式；所述FLASH开关单元是制作在硅基的深N阱中，并将信号传输管与编程/擦除管的有源区有效隔离；所述FLASH开关单元的栅氧层下方信号传输管有源区存在多个绝缘沟槽，能够提供更大的电流；所述信号传输管栅氧层与编程/擦除管的隧道氧化层是同膜层，是采用低压掺N氧化工艺实现；其余均采用业界标准工艺
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114242723 A
(43)申请公布日 2022.03.25
(21)申请号 202111304880.8
(22)申请日 2021.11.05
(71)申请人 中国
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