原创力文档- 4
- 0
- 约8.76千字
- 约 8页
- 2023-04-14 发布于四川
- 举报
本发明提供了一种RRAM阻变结构的形成方法，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成下电极；在所述下电极上使用α相的Ta形成第一钽层，在所述第一钽层上使用β相的Ta形成第二钽层；氧化处理所述第一钽层和所述第二钽层形成钽氧化物层；在所述钽氧化物层上依次形成阻挡层和上电极。在本发明中，形成钽氧化物层的钽，分两步形成，两步形成的钽的材质不一致，即先以α相的Ta形成第一钽层，再以β相的Ta形成第二钽层，可以很容易地控制钽氧化成钽氧化物层的过程和程度，形成效果更好的钽氧化物层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111799372 A
(43)申请公布日 2020.10.20
(21)申请号 202010413713.6
(22)申请日 2020.05.15
(71)申请人 上海华力微电子有限公司
文档评论（0）