SCR静电保护结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-04-14 发布于四川
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SCR静电保护结构及其形成方法.pdf

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一种SCR静电保护结构及其形成方法，结构包括：位于第一N型阱中顶部的阳极P型掺杂区；位于第一N型阱沿第二方向两侧基底中的第二N型掺杂区；位于第一N型阱沿第二方向两侧的第二N型阱中的第一P型掺杂区；位于第一N型阱沿第一方向两侧的第二N型阱中的第三N型掺杂区，第一方向与第二方向垂直；位于第一N型阱沿第一方向两侧基底上的栅极结构，且所述栅极结构位于第二N型阱的外侧；位于第一N型阱沿第一方向两侧基底中的第四N型掺杂区，第四N型掺杂区和第三N型掺杂区分别位于所述栅极结构沿第一方向的两侧；位于第一N型阱沿第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111725201 A (43)申请公布日 2020.09.29 (21)申请号 20191