原创力文档- 0
- 0
- 约1.57万字
- 约 14页
- 2023-04-15 发布于北京
- 举报
本实用新型提供了一种功率半导体器件，包括：上桥臂单元包括第一功率金属箔片、第二功率金属箔片和第三功率金属箔片，其中，第三功率金属箔片上设置有对称分布的第一突出结构和第二突出结构，其上规律并且对称地排布有数量相同的第一功率半导体芯片，第一功率金属箔片与第三功率金属箔片相连，并且第二功率金属箔片与第三功率金属箔片相连；下桥臂单元包括第四功率金属箔片，在远离第三功率金属箔片的方向延伸设置有第三突出结构和第四突出结构，并且在靠近第一功率半导体芯片的位置设置有源极连接区域，其中，第三突出结构和第四突出结构
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215731694 U
(45)授权公告日 2022.02.01
(21)申请号 202121420943.1
(22)申请日 2021.06.24
(73)专利权人 江苏宏微科技股份有限公司
文档评论（0）