原创力文档- 2
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- 2023-04-15 发布于四川
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本实用新型提供了一种沟槽式栅极IGBT结构，基板的表面开设有环形槽，环形槽的内部设置有铅环，元胞包括n型衬底，n型衬底的底部设置有p+集电极，p+集电极的底部设置有集电极金属，n型衬底的顶部设置有p型阱，p型阱的顶部依次设置有p+型短路区和n+发射区，n型衬底的顶部开设有沟槽，沟槽位于n+发射区，沟槽的内壁设置有栅极氧化层，栅极氧化层上设置有栅极多晶层，栅极多晶层的顶部设置有氧化层，解决了目前沟槽式栅极IGBT结构存在的内部的应力会导致硅片碎片率增加、芯片良率低的问题以及在进行离子注入的过程中沟
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215731729 U
(45)授权公告日 2022.02.01
(21)申请号 202121735088.3
(22)申请日 2021.07.28
(73)专利权人 青岛佳恩半导体有限公司
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