原创力文档- 0
- 0
- 约2.12万字
- 约 26页
- 2023-04-16 发布于四川
- 举报
一种使可靠性提高的半导体装置，具有半导体部和第1～第3电极。第1电极设置于半导体部的背面上。第2电极设置于所述半导体部的表面上。所述半导体部包含第1导电型的第1层和第2导电型的第2及第3层。另外，所述半导体部包含有源区域和将所述有源区域包围的末端区域，所述第2电极设置于所述有源区域上。所述第2层设置于所述第1层与所述第2电极之间，与所述第2电极电连接。所述第3层沿所述有源区域与所述末端区域的边界将所述第2层包围，与所述第2层分离而设置。所述第3电极在所述第1电极与所述第2电极之间在所述第1层中延
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115842050 A
(43)申请公布日 2023.03.24
(21)申请号 202210154925.6
(22)申请日 2022.02.21
(30)优先权数据
2021-153420 202
文档评论（0）