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一种带有源极沟槽的碳化硅深沟槽MOS器件.pdfVIP

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  • 2023-04-20 发布于四川
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一种带有源极沟槽的碳化硅深沟槽MOS器件.pdf

    本实用新型公开一种带有源极沟槽的碳化硅深沟槽MOS器件，包括：衬底层；外延层，位于衬底层上方；具有第二导电类型的掺杂区，位于外延层上方；栅极沟槽，形成于具有第二导电类型的掺杂区内，底部深入外延层；源极沟槽，分布在栅极沟槽两侧，底部深入外延层；具有第一导电类型的掺杂区，位于具有第二导电类型的掺杂区上方与栅极沟槽两侧之间的空间内；源极沟槽的顶部与具有第二导电类型的掺杂区顶部用多晶硅连接。本实用新型的有益效果是，引入源极沟槽，并在掺杂区上方形成碳化硅异质结，正向加压时该处形成反型沟道，降低寄生PIN二

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215911431 U (45)授权公告日 2022.02.25 (21)申请号 202120494205.5 (22)申请日 2021.03.03 (73)专利权人 上海芯导电子科技股份有限公司

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