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- 2023-04-21 发布于四川
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本发明提供一种欧姆接触GaN器件及其制备方法，先形成具有倾斜侧壁的光刻胶层，而后采用ICP刻蚀法图形化SiN钝化层，形成具有倾斜侧壁的SiN钝化层，而后进行离子注入在外延结构中形成贯穿AlGaN势垒层且底部延伸至GaN层中的源极区及漏极区，且源极区及漏极区的掺杂浓度均呈高斯分布，之后采用ICP刻蚀法，图形化AlGaN势垒层及GaN层，形成具有倾斜侧壁的GaN层，且显露中心掺杂区，再形成与中心掺杂区对应接触的源金属电极及漏金属电极，以及贯穿SiN钝化层与AlGaN势垒层接触的栅极金属电极，从而在离
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113889412 B
(45)授权公告日 2022.02.22
(21)申请号 202111480159.4 H01L 29/778 (2006.01)
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