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- 2023-04-21 发布于四川
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本发明提供了一种肖特基二极管及其制备方法、电子设备，其中，肖特基二极管的制备方法，包括：在N型衬底上形成N型外延层；在所述N型外延层刻蚀多个沟槽，以及所述沟槽内的沟槽MOS栅；淀积TEOS层；所述TEOS层连接对应的沟槽MOS栅；以所述沟槽间的部分N型外延层表面作为窗口区，在所述窗口区注入砷，以形成掺杂层；在所述掺杂层形成含钛与镍铂的势垒金属；形成正面金属，所述正面金属位于所述沟槽MOS栅、所述势垒金属、所述TEOS层的相背于所述N型衬底的一侧。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113903813 A
(43)申请公布日 2022.01.07
(21)申请号 202111158918.5
(22)申请日 2021.09.30
(71)申请人 上海芯导电子科技股份有限公司
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