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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构包括第一晶圆、导电通孔、隔离层以及间隔结构。第一晶圆包括半导体基板、多层互连结构与介电层。半导体基板包括正面与背面。多层互连结构位于半导体基板的正面。介电层位于半导体基板的背面。导电通孔从介电层延伸至多层互连结构的导线。隔离层位于导电通孔与第一晶圆之间。间隔结构位于导电通孔与隔离层之间，其中间隔结构与导线分开。由于间隔结构设置于隔离层上，故泄漏问题可以被避免。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113889447 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202110733369.3 (22)申请日 2021.06.30 (30)优先权数据 16/919,07

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