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- 2023-04-21 发布于四川
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本发明提供一种多晶化被抑制并且生长速度快的III族氮化物晶体的制造方法。III族氮化物晶体的制造方法包括：准备种基板的工序、生成III族元素氧化物气体的工序、供给III族元素氧化物气体的工序、供给含氮元素气体的工序、供给含氮元素氧化性气体的工序、以及使III族氮化物晶体在种基板上生长的工序，含氮元素氧化性气体包含选自NO气体、NO2气体、N2O气体和N2O4气体中的至少一种。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113882020 A
(43)申请公布日 2022.01.04
(21)申请号 202110740713.1 C30B 25/00 (2006.01)
(22)申请日 2
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