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等离子体蚀刻方法.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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等离子体蚀刻方法.pdf

    提供一种氮化硅膜的蚀刻速度大的等离子体蚀刻方法。一种等离子体蚀刻方法，具备：使用将含有七氟化碘的蚀刻气体等离子体化而得到的等离子体，来蚀刻形成于基板(20)上的氮化硅膜的蚀刻工序。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113906829 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202080040563.7 (74)专利代理机构 北京市中咨律师事务所

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