原创力文档- 2
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- 2023-04-21 发布于四川
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本发明提供一种图案化的方法，包括以下步骤：在目标层上依序形成经掺杂多晶硅层、核心层以及未掺杂多晶硅层。图案化未掺杂多晶硅层，以形成多晶硅图案。以多晶硅图案为掩膜，进行第一刻蚀工艺，以移除部分核心层并形成核心图案。进行第二刻蚀工艺，以移除多晶硅图案。进行原子层沉积工艺，以于核心图案与经掺杂多晶硅层上形成间隙壁材料。移除部分间隙壁材料，以于核心图案的侧壁上形成间隙壁。移除部分核心图案及其下方的经掺杂多晶硅层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113889400 A
(43)申请公布日
2022.01.04
(21)申请号 20201
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