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- 2023-04-21 发布于四川
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本发明公开一种金属半导体结的蚀刻保护层结构及其制造方法，其中该金属半导体结的蚀刻保护层结构，包括一半导体基板以及一金属蚀刻保护层。半导体基板具有一金属半导体接触层。金属蚀刻保护层设置于该金属半导体接触层之上，作为激光元件脊状结构在进行感应耦合等离子体反应离子蚀刻(ICP‑RIE)制作工艺的蚀刻掩模，在完成该蚀刻制作工艺后无需移除该金属蚀刻保护层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113889841 A
(43)申请公布日 2022.01.04
(21)申请号 202010632979.X
(22)申请日 2020.07.02
(71)申请人 华星光通科技股份有限公司
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