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具有后硬偏置且不具有AFM层的磁读传感器和相关方法.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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具有后硬偏置且不具有AFM层的磁读传感器和相关方法.pdf

    本发明题为“具有后硬偏置且不具有AFM层的磁读传感器和相关方法”。本公开的方面整体涉及磁记录设备的磁记录头。一种磁读磁头包括在第一方向上磁性取向的第一钉扎层，以及形成在第一钉扎层上方并且在与第一方向相反的第二方向上磁性取向的第二钉扎层。磁读磁头包括后硬偏置，后硬偏置相对设置在第一钉扎层或第二钉扎层中的一个或多个的外侧。后硬偏置被磁性取向以在偏置方向上生成磁场。偏置方向指向与第一方向或第二方向相同的方向。磁读磁头不包括下屏蔽件与上屏蔽件之间的反铁磁(AFM)层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113889153 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202110620982.4 (22)申请日 2021.06.03 (30)优先权数据

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