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半导体器件及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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半导体器件及其制作方法.pdf

    本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件的制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成底层金属层；在所述底层金属层上形成介质层；在所述介质层上形成顶层金属层；对所述顶层金属层进行图形化，以去除电容区域之外的所述顶层金属层，以形成上极板，其中，所述介质层包括层叠设置的绝缘层和改性层，所述改性层位于相邻的所述绝缘层之间，且所述绝缘层的厚度大于所述改性层的厚度。根据本发明实施例可以在保持介质层厚度不变的条件下，提升MIM电容的电性性能，使其可长时间稳定工作于较高电压下。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113889572 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202010634353.2 (22)申请日 2020.07.02 (71)申请人 无锡华润上华科技有限公司

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