- 1
- 0
- 约3.49万字
- 约 38页
- 2023-04-21 发布于四川
- 举报
一种三维半导体存储器件,包括:外围电路结构;以及在外围电路结构上的单元阵列结构。外围电路结构包括:在衬底上的下布线;在下布线上的停止绝缘层;在下布线上的接触通路;停止绝缘层上的浮置通路;以及,在接触通路上的上布线。浮置通路不接触下布线。接触通路穿过停止绝缘层中的通路孔接触下布线。上布线接触接触通路。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113889481 A
(43)申请公布日 2022.01.04
(21)申请号 202110587998.X
(22)申请日 2021.05.27
(30)优先权数据
您可能关注的文档
最近下载
- 健康减脂专家—变啦V1.2发布.doc VIP
- 比亚迪唐dm2015款旗舰版说明书.doc VIP
- 四篇对照“学习贯彻党的创新理论、加强党性锤炼、联系服务群众、发挥先锋模范作用、改作风树新风”等五个方面2026年组织生活会对照检查材料.docx VIP
- FMEA手册最新中文版整理(第五版).pdf VIP
- 68万吨年煤制甲醇项目精馏工段工艺设计.doc
- 全球化背景下海外中国公民领事保护体系的构建与完善研究.docx VIP
- 写人外貌作文教学课件.ppt VIP
- 2012款东风标致508用户使用手册.pdf
- 年产吨碳酸饮料工厂设计.docx VIP
- 2026届湖南长沙长郡教肓集团重点中学中考语文最后冲刺模拟试卷含解析.doc
原创力文档

文档评论(0)