三维半导体存储器件.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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一种三维半导体存储器件,包括:外围电路结构;以及在外围电路结构上的单元阵列结构。外围电路结构包括:在衬底上的下布线;在下布线上的停止绝缘层;在下布线上的接触通路;停止绝缘层上的浮置通路;以及,在接触通路上的上布线。浮置通路不接触下布线。接触通路穿过停止绝缘层中的通路孔接触下布线。上布线接触接触通路。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113889481 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202110587998.X (22)申请日 2021.05.27 (30)优先权数据

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