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具有双层电容结构的DRAM、半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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具有双层电容结构的DRAM、半导体器件及其制造方法.pdf

    本申请涉及一种存储单元结构、存储器及包括该存储器的半导体器件，存储单元包括：半导体基底；位于半导体基底上的沟槽式电容器；位于所述沟槽式电容器上方的堆叠型电容器。通过本申请实施方式中的双层电容器结构的存储器，在较小的单位尺寸面积(4F2)条件下，实现了存储容量的大幅提高。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113903735 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202010574939.4 (22)申请日 2020.06.22 (71)申请人 中国科学院微电子研究所

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