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碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法.pdf

    本发明提供了碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法，制备碳化硅籽晶的方法包括：在碳化硅籽晶本体的背面形成硅层；在所述硅层远离所述碳化硅籽晶的表面形成预制碳层，所述预制碳层覆盖所述硅层远离所述碳化硅籽晶本体的表面；使所述预制碳层与所述硅层反应生成碳化硅过渡层和碳层，得到碳化硅籽晶。该方法步骤简单，操作方便，对设备和技术人员没有苛刻要求，且得到的碳化硅籽晶可以有效缓解界面处的应力差异，使得界面处的结合更为牢固，同时显著改善了因为润湿性和热膨胀率差异导致的碳层脱落问题，进而可以有

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113897684 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 20201

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