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- 2023-04-21 发布于四川
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本发明实施例提供一种存储器的形成方法及存储器，存储器的形成方法，包括：提供基底，基底中至少包括字线结构以及有源区，以及位于基底顶部表面的底介质层和位线接触层，底介质层中具有位线接触开口，位线接触开口暴露出基底中的有源区，位线接触层覆盖底介质层且填充位线接触开口；刻蚀部分位线接触层，形成不同高度的位线接触层；形成导电层，于垂直于字线结构延伸的方向上，导电层顶部表面位于不同高度，于字线结构延伸的方向上，所述导电层顶部表面位于不同高度；形成顶介质层；刻蚀形成分立的位线结构。通过形成位线结构中的导电层位
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113903708 A
(43)申请公布日 2022.01.07
(21)申请号 202010575406.8
(22)申请日 2020.06.22
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
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