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- 2023-04-21 发布于四川
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提供了显示装置。显示装置包括基础衬底、下层间电介质层、氧化物半导体层、第一栅极绝缘层、第一上栅电极、上层间电介质层、第一源电极和第一漏电极,氧化物半导体层包括第一沟道区、布置在第一沟道区的一侧上的第一漏区以及第一源区,其中,下层间电介质层包括布置在基础衬底上的第一下层间电介质层以及布置在第一下层间电介质层上的第二下层间电介质层,其中,第一下层间电介质层包括氮化硅,并且第二下层间电介质层包括氧化硅,并且其中,第一下层间电介质层中氮与硅的组成比在0.8至0.89的范围内。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113889487 A
(43)申请公布日 2022.01.04
(21)申请号 202110720056.4
(22)申请日 2021.06.28
(30)优先权数据
10-2020-0
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