一种半导体结构及其制造方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.02千字
约 1页
2023-04-21 发布于北京
举报
版权申诉

一种半导体结构及其制造方法.pdf

1、本文档共1页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种半导体结构及其制造方法，解决了现有半导体结构的制造工艺复杂以及稳定性和可靠性差的问题。该半导体结构，包括衬底(1)；所述衬底(1)上依次叠加的沟道层(23)、势垒层(24)及半导体层(3)，其中所述半导体层(3)为GaN基材料，且所述半导体层(3)的上表面为Ga面；以及形成于所述半导体层(3)的栅极区域的上表面为N面的p型GaN基半导体层(5)。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113892186 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 201980094459.3 (51)Int.Cl.