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- 2023-04-21 发布于四川
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本申请涉及半导体制造领域，特别涉及一种靶材组件及靶材组件制作方法。本发明通过对靶材边缘圆弧形倒角进行喷砂处理，使得靶材边缘圆弧形倒角凹凸不平，为后续的反溅射层附着提供粗糙面，增强圆弧形倒角与反溅射层之间的吸附力。由于圆弧形倒角本身比平面具有更大的应力集中系数，当圆弧形倒角的半径越小时，应力集中系数越大，因此通过对圆弧形倒角进行喷砂处理，增强圆弧形倒角与反溅射层之间的吸附力，抵消部分圆弧形倒角较小带来的应力集中系数较大的问题，从而可以有效避免反溅射层剥离的同时降低靶材非溅射区边缘的厚度，降低靶材的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113897572 A
(43)申请公布日 2022.01.07
(21)申请号 202111183200.1 C23C 14/32 (2006.01)
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