一种转印图案化电极制备微米LED的方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于四川
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一种转印图案化电极制备微米LED的方法.pdf

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本发明提出一种转印图案化电极制备微米LED的方法，所述方法中，先制备带图案凹槽的PDMS印章，再通过PDMS印章在PET面上印制图案形状的PVA图形，然后以印制出的PVA图形制备图案化的电极，在图案化的电极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点薄膜、电子传输层、金属阴极；本发明所述方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113937244 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202111005348.6 (22)申请日 2021.08.30 (71)申请人福州大学地址 35