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- 2023-04-22 发布于四川
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本申请提供了一种存储芯片、存储芯片的读写方法、读写装置和单片机,该存储芯片包括主存储器和辅存储器,辅存储器包括缓冲器,主存储器包括:存储阵列,包括多个存储单元;多个间隔的位线,存储单元列通过位线与缓冲器一一对应地通信连接,一个存储单元列包括一条位线连接的所有存储单元。该主存储器RAM的位线的一端与辅存储器的缓冲器一一对应通信连接,使得主存储器RAM和辅存储器实现并行通信,相比于现有技术中主存储器RAM和辅存储器之间进行串行通信,大大提升了数据传输速度,提高了主存储器RAM的读写操作效率,解决了现
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113936727 A
(43)申请公布日 2022.01.14
(21)申请号 202111139073.5
(22)申请日 2021.09.27
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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