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光栅耦合型Ge系近红外波导探测器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-04-22 发布于四川
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光栅耦合型Ge系近红外波导探测器及其制备方法.pdf

    本发明提供的一种光栅耦合型Ge系近红外波导探测器及其制备方法，通过生长Si层和SiO2层，使得Si层与SiO2层构成布拉格反射镜结构提高耦合效率，在P型Si材料层刻蚀形成的聚焦型非均匀光栅结构，在P型Si材料层与GeSn合金材料之间生长一层较薄的掺杂浓度低于P型Si材料层Ge材料缓冲层，降低晶格失配的影响以及减少俄歇复合产生的光损耗，生成的本征Ge0.94Sn0.06材料层可以减少光吸收层的长度并且可以将光探测范围扩展到更长。因此本发明的光栅耦合型Ge系近红外波导探测器不仅可以解决传统探测器耦合

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113937173 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202111118658.9 (22)申请日 2021.09.24 (71)申请人 西安电子科技大学 地址

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