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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-22 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

    本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供一具有高压器件区和中压器件区的衬底；形成多个浅沟槽隔离结构；刻蚀所述高压器件区的衬底以形成第一沟槽；在所述第一沟槽中形成第一栅氧结构以及在中压器件区的衬底表面形成第二栅氧结构。本发明还提供一种半导体器件。本申请通过在所述高压器件区的衬底中形成第一栅氧结构来降低所述高压器件区的第一栅氧结构的高度，改善后续所述第一栅氧结构上方形成的dummypoly的高度均匀性，避免了在后续ILD0CMP工艺中所述高压器件区的dummypoly被过分误研磨的情况，为

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113937056 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202111139817.3 (22)申请日 2021.09.28 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司

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