一种超短沟道VSe2-WSe2二维材料及其制备和应用.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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一种超短沟道VSe2-WSe2二维材料及其制备和应用.pdf

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本发明属于二维材料制备和器件性能研究领域，具体公开了无光刻方法来制造超短沟道WSe2场效应晶体管的方法，步骤为：VCl3原料在530‑580℃的挥发温度、Se原料在360‑380℃的挥发温度下挥发；挥发后的原料以载气、600～620℃的沉积温度下在WSe2二维材料的表面反应沉积，随后冷却，沉积的相邻VSe2的晶界裂开形成超短沟道，制得所述的超短沟道VSe2‑WSe2二维材料。本发明还包括所述的方法制得的材料以及材料的应用。本发明方法，通过所述的材料以及工艺的联合控制，能够意外地在无光刻下获得窄沟

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113990737 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202111225217.9 (22)申请日 2021.10.21