不同偏角度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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不同偏角度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法.pdf

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不同偏度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法，涉及半导体晶体生长领域，尤其是一种砷化镓单晶的制备技术。本发明的方法包括了籽晶胚的加工和定向、籽晶抛光和清洗、单晶生长等步骤，其中，钻取种子胚大小适中，种子胚比种子小嘴内径小0.025mm‑0.76mm。抛光剂采用溴素和乙醇按体积比2：1‑1：4进行配置。本发明的优点是不同偏角度（100）到（111）偏0°、2°、6°、10°和15°的籽晶生长的砷化镓单晶体与国家标准（GB/T30856‑2014）对位错的要求相比，其位错非常低、结晶度高。最主要的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113981523 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202111179012.1 C30B 29/42 (2006.01) (22)申请日 2