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本发明涉及交变磁场探测领域，具体提供了一种基于磁热效应的交变磁场探测装置，凹槽设置在基底的表面，第一四氧化三铁材料部和第二四氧化三铁材料部分别设置在凹槽的两端，二维过渡金属硫属化合物层置于基底和凹槽上，第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上凹槽的两侧。应用时，将本发明置于待测空间的交变磁场内，通过第一电极和第二电极测量二维过渡金属硫属化合物层导电特性的变化，实现交变磁场探测。本发明具有交变磁场探测灵敏度高的优点，在交变磁场探测领域具有良好的应用前景。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113985325 A
(43)申请公布日 2022.01.28
(21)申请号 202111088161.7
(22)申请日 2021.09.16
(71)申请人 彭彦莉
地址 72
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