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用于制造半导体芯片的方法.pdfVIP

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  • 2023-04-23 发布于北京
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用于制造半导体芯片的方法.pdf

    提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法，其中在用于生长第一半导体层(1)的生长工艺期间，沿着生长的第一半导体层(1)的至少一个延伸方向产生不均匀的横向温度分布，使得建立第一半导体层(1)的材料组成的横向变化。此外，提出一种半导体芯片(100)。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113991426 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202111134840.3 (51)Int.Cl.

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