功率半导体器件及其制备方法、电子装置.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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功率半导体器件及其制备方法、电子装置.pdf

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本申请提供一种功率半导体器件及其制备方法、电子装置。功率半导体器件包括功能层、第一金属部、第二金属部及绝缘层，所述功能层包括第一区域、第二区域及第三区域，所述第三区域位于所述第一区域与所述第二区域之间，所述功能层还包括设置在所述第三区域的第一阻挡槽，所述第一金属部设置在所述第一区域上，所述第二金属部设置在所述第二区域上，所述绝缘层包括连接设置的主体及第一阻挡部，所述主体覆盖于所述第一金属部、所述第二金属部及所述第三区域上，所述第一阻挡部填充所述第一阻挡槽，所述功能层还包括至少一个钝化层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113990803 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202111164572.X (22)申请日 2021.09.30 (71)申请人华为技术有限公司地址