一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源.pdf

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本发明实施例提供一种堆栈结构GaAs光导开关及制作方法和冲激脉冲源，通过光导开关的低导通电阻以提高冲激脉冲源的输出功率；包括：在半绝缘GaAs材料表面外延生长一层n+‑GaAs层；将半绝缘GaAs材料表面除电极区域外的n+‑GaAs层去除；将锗、金、镍和金依次沉积到电极区域的n+‑GaAs层表面；在去除n+‑GaAs层的半绝缘GaAs材料的半绝缘GaAs材料表面刻蚀槽；在槽内蒸镀金属或者外延生长n+‑GaAs；经过高温快速退火在电极区域形成欧姆接触，制作得到光导开关。本发明实施例得到了欧姆接触电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113990967 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202111241120.7 (22)申请日 2021.10.25 (71)申请人中国工程物理研究院流体物理